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Lager und Kugeln aus Siliziumnitrid-Keramik
Substrat aus Siliziumnitrid (Si3N4) mit hoher Wärmeleitfähigkeit Merkmale ►Hohe Festigkeit: Die Biegefestigkeit ist etwa doppelt so hoch wie die von AL2O3- und ALN-Substraten.►Hohe Wärmeleitfähigkeit: Sie ist mehr als dreimal höher als das AL2O3-Substrat.►Leicht und dünn: Seine Dicke kann 1/2 des AlN-Substrats erreichen. ►Ausgezeichnete Temperaturwechselbeständigkeit: Sein Wärmeausdehnungskoeffizient liegt nahe bei dem von Silizium.Artikel Einheit Al2O3 AIN Si3N4 Dichte g/cm2 3,75 3,3 3,22 Dicke mm 0,31... -
Brenner Siliziumkarbid-Konzentrator
Die Hauptfunktion derSiliziumkarbiddüse des Brennersbesteht darin, das Kohlenstaub-Luft-Gemisch (Primärluft), das von dem Kohlenstaub-Aufbereitungssystem zugeführt wird, und die für die Verbrennung erforderliche Sekundärluft mit einer bestimmten Konzentration bzw. Geschwindigkeit in den Ofen einzublasen, um eine stabile Zündung und Verbrennung im suspendierten Zustand zu erreichen .
- 1. Die Struktur der Siliziumkarbiddüse muss einfach sein, nicht leicht zu blockieren, leicht zu reparieren und auszutauschen, lange Lebensdauer und die Wirtschaftlichkeit zu verbessern.
- 2. Die Siliziumkarbiddüse verwendet ein integriertes Gießformverfahren, das hochtemperaturbeständig und verschleißfest ist und die Wartungskosten senkt.
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Siliziumnitrid-Keramikblöcke, Fliesen, Platten usw
Anwendung von Siliziumnitrid-Führungsrollen in der Gießereiindustrie
Im Vergleich zu Führungsrollen aus Metall und Legierungen hat die Führungsrolle aus Siliziumnitrid mehr Vorteile in Bezug auf Hochtemperaturbeständigkeit, hohe Härte, hohe Zähigkeit, Schlagfestigkeit und Oxidationsbeständigkeit.Gleichzeitig ist die Siliziumnitrid-Führungsrolle ölfrei, selbstschmierend, von geringer Dichte, leicht und ihre Lebensdauer ist mehr als zehnmal so hoch wie die der Führungsrolle aus Legierung.
Substrat aus Siliziumnitrid (Si3N4) mit hoher Wärmeleitfähigkeit
Siliziumnitrid-Keramiksubstrat mit hoher Wärmeleitfähigkeit
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Siliziumnitrid-Keramik-Substrat und -Teile mit hoher Wärmeleitfähigkeit
Elektronisches Substrat Das Substrat der Hauptleiterplatte wird in der Elektronikfertigungsindustrie weit verbreitet verwendet.
Elektronisches Substrat aus Siliziumnitridwird hauptsächlich für die Isolierung und Wärmeleitfähigkeit von Siliziumnitrid verwendet.Aufgrund des hohen Rechenaufwands und der Wärmeentwicklung werden die Anforderungen an Isolierung und Wärmeableitung von VLSI- und Elektronikchips immer höher.Elektronische Substrate aus Siliziumnitrid haben dieses Problem perfekt gelöst.
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Maßgeschneiderte Siliziumnitridkeramik
Siliziumnitrid-Kugelhähne Siliziumnitrid-Kugelhähne werden häufig in der Photovoltaik-, Kohlechemie-, Elektroenergie-, Metallurgie-, Erdöl-, Petrochemie- und anderen Industrien eingesetzt.Das Siliziumnitrid-Kugelventil mit Siliziumnitridkugel und Ventilsitz als Kern hat die Eigenschaften Erosionsbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit, Hoch- und Niedertemperaturbeständigkeit.Gleichzeitig hat das Siliziumnitrid-Kugelventil selbstschmierende Eigenschaften, einen niedrigen Reibungskoeffizienten im Prozess des Ventils ... -
Schutzabdeckung und Rohr aus Keramik für den Luftstrom
Die Siliziumnitrid-Gasloch-Schutzabdeckung Die Siliziumnitrid-Gasloch-Schutzabdeckung wird auf den Korrosivgaskanal aufgebracht, um den Gasfluss zu verlangsamen.Porenschutzabdeckung aus Siliziumnitrid-Keramik hat eine sehr gute Korrosionsbeständigkeit.Gleichzeitig hat es eine hohe Härte, hohe und niedrige Temperaturbeständigkeit und kann stabil in Hochtemperatur- und korrosiven Verunreinigungsgasen verwendet werden.Da es nicht korrodiert wird, bringt es keine eigenen Verunreinigungen in das Produkt wie der Metallschutz ... -
Wabenförmige SiC-Keramikfolie
Siliziumkarbid (SiC)-Film wird bei hoher Temperatur durch Rekristallisationstechnologie gesintert. Seine poröse Trägerschicht, Übergangsschicht und Filmschicht bestehen alle aus Siliziumkarbid-Material.Seine Filtrationspräzision ist Mikrofiltration und Ultrafiltration.
Das Filtrationssystem aus SiC-Folie ist ein Flüssigkeitstrennverfahren in Form der „Cross-Flow-Filtration“.Die Speiseflüssigkeit fließt mit hoher Geschwindigkeit im Folienschlauch.Angetrieben durch Druck durchdringt die geklärte osmotische Lösung, die kleine molekulare Komponenten enthält, die dichte Schicht des Films in einer Richtung senkrecht dazu.Die trübe konzentrierte Lösung, die makromolekulare Komponenten enthält, wird jedoch abgefangen, um den Zweck der Flüssigkeitsklärung, -trennung, -konzentrierung und -reinigung zu erreichen.
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RSiC-Walzen
Rekristallisiertes Siliziumkarbid (RSiC) wird aus hochreinem und ultrafeinem Siliziumkarbid hergestellt.Unter dem Schutz von 2400 ℃ hoher Temperatur und einer bestimmten Druckatmosphäre wird Siliziumkarbid einer Rekristallisation durch Verdampfungskondensation unterzogen.In dieser Situation wird der Sinterkörper durch Verwachsen von Partikeln beim Kontakt von Partikeln gebildet.Es schrumpft grundsätzlich nicht.Es hat jedoch eine gewisse Anzahl an Poren.
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3D-Druck von Siliziumkarbidkeramik
Gegenwärtig ist die Nachfrage nach SiC-Keramiken mit verschiedenen komplexen Strukturformen dramatisch gestiegen.Jedoch, DieDie traditionelle Herstellungsmethode ist komplexundZeitaufwendig.Insbesondere die Formkonstruktion und der Produktionszyklus werden lange dauern.Aufgrund seiner extrem hohen Härte und Sprödigkeit ist seine Herstellung äußerst schwierig.Die eingesetzten Werkzeuge sind nicht nur stark abgenutzt, sondern weisen auch einige Defekte auf, die eine gute Oberflächenqualität und Maßhaltigkeit nur schwer erreichen.
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Kugelsichere Kacheln und SSiC-Platten
Kugelsicheres SiliziumkarbidPlatten und Fliesen sindhergestellt durch direktes Trockenpressen und druckloses Sintern.Planare oder gebogene Produkte können entsprechend den Designanforderungen hergestellt werden.Die Produktdicke kann mehr als 50 mm erreichen, die Maßgenauigkeit beträgt ± 0,5 mm und die Dicke beträgt ± 0,2 mm.
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Düse aus Siliziumkarbid
Keramik aus Siliziumkarbidc Düses sind gebildet durch direktes isostatisches Pressen und druckloses Sintern, mit ausgezeichneter Verschleißfestigkeit und Korrosionsbeständigkeit Leistung.Wir können Polieren Sie die Oberfläche, um den unterschiedlichen Designanforderungen der Benutzer gerecht zu werden.
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Basis aus Siliziumkarbid
Hochpräzise Komponenten für Halbleiterprozesse und optisch-mechanische Geräte
Der SSiC-Siliziumkarbid-Manipulator und -Chassis werden durch isostatisches Pressverfahren geformt und in einem Vakuumsinterofen bei hoher Temperatur gesintert.Die Gesamtabmessungen, Dickenabmessungen und Formen können gemäß den Anforderungen der Konstruktionszeichnungen des Benutzers fertiggestellt werden, um die spezifischen Verwendungsanforderungen des Benutzers zu erfüllen.
