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RSiC-Walzen
Rekristallisiertes Siliziumkarbid (RSiC) wird aus hochreinem und ultrafeinem Siliziumkarbid hergestellt.Unter dem Schutz von 2400 ℃ hoher Temperatur und einer bestimmten Druckatmosphäre wird Siliziumkarbid einer Rekristallisation durch Verdampfungskondensation unterzogen.In dieser Situation wird der Sinterkörper durch Verwachsen von Partikeln beim Kontakt von Partikeln gebildet.Es schrumpft grundsätzlich nicht.Es hat jedoch eine gewisse Anzahl an Poren.
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RSiC-Platten
Rekristallisiertes Siliziumkarbid (RSiC) wird aus hochreinem und ultrafeinem Siliziumkarbid hergestellt.Unter dem Schutz von 2400 ℃ hoher Temperatur und einer bestimmten Druckatmosphäre wird Siliziumkarbid einer Rekristallisation durch Verdampfungskondensation unterzogen.In dieser Situation wird der Sinterkörper durch Verwachsen von Partikeln beim Kontakt von Partikeln gebildet.Es schrumpft grundsätzlich nicht.Es hat jedoch eine gewisse Anzahl an Poren.
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RSiC Brennhilfsmittel
Rekristallisiertes Siliziumkarbid (RSiC) wird aus hochreinem und ultrafeinem Siliziumkarbid hergestellt.Unter dem Schutz von 2400 ℃ hoher Temperatur und einer bestimmten Druckatmosphäre wird Siliziumkarbid einer Rekristallisation durch Verdampfungskondensation unterzogen.In dieser Situation wird der Sinterkörper durch Verwachsen von Partikeln beim Kontakt von Partikeln gebildet.Es schrumpft grundsätzlich nicht.Es hat jedoch eine gewisse Anzahl an Poren.
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RSiC-Tiegel und Brennkapseln
Rekristallisiertes Siliziumkarbid (RSiC) wird aus hochreinem und ultrafeinem Siliziumkarbid hergestellt.Unter dem Schutz von 2400 ℃ hoher Temperatur und einer bestimmten Druckatmosphäre wird Siliziumkarbid einer Rekristallisation durch Verdampfungskondensation unterzogen.In dieser Situation wird der Sinterkörper durch Verwachsen von Partikeln beim Kontakt von Partikeln gebildet.Es schrumpft grundsätzlich nicht.Es hat jedoch eine gewisse Anzahl an Poren.
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RSiC Bunerdüsen und Strahlrohr
Rekristallisiertes Siliziumkarbid (RSiC) wird aus hochreinem und ultrafeinem Siliziumkarbid hergestellt.Unter dem Schutz von 2400 ℃ hoher Temperatur und einer bestimmten Druckatmosphäre wird Siliziumkarbid einer Rekristallisation durch Verdampfungskondensation unterzogen.In dieser Situation wird der Sinterkörper durch Verwachsen von Partikeln beim Kontakt von Partikeln gebildet.Es schrumpft grundsätzlich nicht.Es hat jedoch eine gewisse Anzahl an Poren.
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RSiC-Beams
RekristallisiertSiliziumkarbid (RSiC) besteht aus hochreinem und ultrafeinem Siliziumkarbid.Unter dem Schutz von 2400 ℃ hoher Temperatur und einer bestimmten Druckatmosphäre wird Siliziumkarbid einer Rekristallisation durch Verdampfungskondensation unterzogen.In dieser Situation wird der Sinterkörper durch Verwachsen von Partikeln beim Kontakt von Partikeln gebildet.Es schrumpft grundsätzlich nicht.Es hat jedoch eine gewisse Anzahl an Poren.
