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Sustrato y piezas de cerámica de nitruro de silicio de alta conductividad térmica

Breve descripción:

Sustrato electrónico El sustrato de la placa de circuito principal es ampliamente utilizado en la industria de fabricación electrónica.

Sustrato electrónico de nitruro de siliciose utiliza principalmente para el aislamiento y la conductividad térmica del nitruro de silicio.Debido a la gran cantidad de cálculos y generación de calor, los requisitos de aislamiento y disipación de calor de VLSI y chips electrónicos son cada vez más altos.El sustrato electrónico de nitruro de silicio ha resuelto perfectamente este problema.


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Soportes de bobina de nitruro de silicio

Soportes de bobina de nitruro de silicio son ampliamente utilizados como sensores en minería subterránea, exploración geológica y otros campos.

Como bastidor de la bobina del sensor, el bastidor de la bobina de nitruro de silicio aplica principalmente el rendimiento de dureza ultra alta de las cerámicas de nitruro de silicio y el aislamiento no magnético de las cerámicas de nitruro de silicio.Como bastidor de la bobina del sensor, debe estar aislado y no ser magnético para transmitir con precisión los datos recopilados;Al mismo tiempo, como sensor para exploración de profundidad, el entorno subterráneo es generalmente complejo y solo el soporte con alta dureza puede proteger al sensor de daños.Además, el soporte de nitruro de silicio tiene ciertos efectos protectores en la bobina del sensor debido a su resistencia a la corrosión, alta y baja temperatura y bajo coeficiente de expansión térmica.

Cubierta protectora de electrodo de nitruro de silicio

Cubierta protectora de electrodo de nitruro de siliciose utiliza principalmente para el aislamiento, la resistencia al calor y la resistencia a la corrosión del nitruro de silicio.En comparación con las cubiertas protectoras de cuarzo y óxido de aluminio que todavía están en uso, la vida útil de las cubiertas protectoras de electrodos de nitruro de silicio es más de 10 veces mayor que la de las cubiertas protectoras de electrodos de nitruro de silicio, y no se electrocutarán, calentarán ni corroerán durante el uso.Debido a su estabilidad, hay muchos menos factores no humanos en el uso del horno de reducción fotovoltaica.

Sustrato de alta conductividad térmica de nitruro de silicio (Si3N4)

Sustrato cerámico de nitruro de silicio de alta conductividad térmica

Características

Alta resistencia: la resistencia a la flexión es aproximadamente el doble que la de los sustratos AL2O3 y ALN.
Alta conductividad térmica: es más de 3 veces mayor que el sustrato AL2O3.
Ligero y delgado: su espesor puede llegar a 1/2 del sustrato AlN
Excelente resistencia al choque térmico: su coeficiente de expansión térmica es cercano al del silicio.

Artículo

Unidad

Al2O3

AIN

Si3N4

Densidad

g/cm2

3.75

3.3

3.22

Grosor

mm

0.3175~1.0

0,4~2,5

0.238~0.635

Nivel de rugosidad superficial (Ra)

micras

0.4

0.2

0.4

Propiedades mecánicas

resistencia a la flexión

MPa

310~400

300~450

650

El módulo de Young

promedio general

330

320

310

Dureza Vickers

promedio general

14

11

15

tenacidad a la fractura

Mpa.ml/2

3~4

2~4

5~7

Coeficiente de expansión térmica

10 -6/K

7.1~8.1

4,5~4,6

2.6

Conductividad térmica

W/(mK)

20~30

160~255

60~120

Calor especifico

J/(kg/K)

750

720

680

Características electricas

Constante dieléctrica

/

9~10

8 ~ 9

7~9

tangente de pérdidas dieléctricas

...10-3

0.2

0.3

0.4

Resistividad de volumen

Ω.m

1012

1012

1012

Cortocircuito

kv/mm

12

14

14

 


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