Substrat et pièces en céramique à haute conductivité thermique en nitrure de silicium

brève description:

Substrat électronique Le substrat de la carte de circuit imprimé principale est largement utilisé dans l'industrie de la fabrication électronique.

Substrat électronique en nitrure de siliciumest principalement utilisé pour l'isolation et la conductivité thermique du nitrure de silicium.En raison de la grande quantité de calculs et de génération de chaleur, les exigences d'isolation et de dissipation thermique des VLSI et des puces électroniques deviennent de plus en plus élevées.Le substrat électronique en nitrure de silicium a parfaitement résolu ce problème.

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Supports de bobines en nitrure de silicium

Supports de bobines en nitrure de silicium sont largement utilisés comme capteurs dans l'exploitation minière souterraine, l'exploration géologique et d'autres domaines.

En tant que support de bobine de la bobine de capteur, le support de bobine en nitrure de silicium applique principalement les performances de dureté ultra-élevée de la céramique de nitrure de silicium et l'isolation non magnétique de la céramique de nitrure de silicium.En tant que support de bobine de capteur, il doit être isolé et amagnétique afin de transmettre avec précision les données collectées ;Dans le même temps, en tant que capteur pour l'exploration en profondeur, l'environnement souterrain est généralement complexe et seul le support à haute dureté peut protéger le capteur contre les dommages.De plus, le support en nitrure de silicium a certains effets protecteurs sur la bobine du capteur en raison de sa résistance à la corrosion, aux hautes et basses températures et à son faible coefficient de dilatation thermique.

Housse de protection d'électrode en nitrure de silicium

Housse de protection d'électrode en nitrure de siliciumest principalement utilisé pour l'isolation, la résistance à la chaleur et la résistance à la corrosion du nitrure de silicium.Par rapport aux housses de protection en quartz et en oxyde d'aluminium encore utilisées, la durée de vie des housses de protection des électrodes en nitrure de silicium est plus de 10 fois supérieure à celle des housses de protection des électrodes en nitrure de silicium, et elles ne seront pas électrocutées, chauffées ou corrodées pendant l'utilisation.En raison de sa stabilité, il y a beaucoup moins de facteurs non humains dans l'utilisation du four de réduction photovoltaïque.

Substrat à conductivité thermique élevée en nitrure de silicium (Si3N4)

Substrat en céramique de nitrure de silicium à haute conductivité thermique

Caractéristiques

►Haute résistance : La résistance à la flexion est environ le double de celle des substrats AL2O3 et ALN.
►Haute conductivité thermique : Elle est plus de 3 fois supérieure au substrat AL2O3.
►Léger et fin : son épaisseur peut atteindre 1/2 du substrat AlN
►Excellente résistance aux chocs thermiques : son coefficient de dilatation thermique est proche de celui du silicium.

Article		Unité	Al2O3	AIN	Si3N4
La densité		g/cm2	3,75	3.3	3.22
Épaisseur		mm	0.3175~1.0	0,4 ~ 2,5	0,238~0,635
Niveau de rugosité de surface (Ra)		μm	0,4	0,2	0,4
Propriétés mécaniques	résistance à la flexion	MPa	310~400	300~450	650
	Module d'Young	Gpa	330	320	310
	Dureté Vickers	Gpa	14	11	15
	ténacité à la rupture	Mpa.ml/2	3~4	2~4	5 ~ 7
	Coefficient de dilatation thermique	10 -6/K	7.1~8.1	4.5~4.6	2.6
	Conductivité thermique	W/(mK)	20 ~ 30	160~255	60 ~ 120
	Chaleur spécifique	J/(kg/K)	750	720	680
Caractéristiques électriques	Constante diélectrique	/	9 ~ 10	8 ~ 9	7 ~ 9
	Tangente de perte diélectrique	...10-3	0,2	0,3	0,4
	Résistivité volumique	Ω.m	＞1012	＞1012	＞1012
	Tension de claquage	kV/mm	＞12	＞14	＞14