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Substrato e peças de alta condutividade térmica de cerâmica de nitreto de silício

Pequena descrição:

Substrato eletrônico O substrato da placa de circuito principal é amplamente utilizado na indústria de manufatura eletrônica.

Substrato eletrônico de nitreto de silícioé usado principalmente para o isolamento e condutividade térmica de nitreto de silício.Devido à grande quantidade de cálculo e geração de calor, os requisitos de isolamento e dissipação de calor de VLSI e chips eletrônicos estão ficando cada vez maiores.O substrato eletrônico de nitreto de silício resolveu esse problema perfeitamente.


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Suportes de bobina de nitreto de silício

Suportes de bobina de nitreto de silício são amplamente utilizados como sensores em mineração subterrânea, exploração geológica e outros campos.

Como o suporte da bobina do sensor, o suporte da bobina de nitreto de silício aplica principalmente o desempenho de ultra-alta dureza da cerâmica de nitreto de silício e o isolamento não magnético da cerâmica de nitreto de silício.Assim como o rack da bobina do sensor, ele deve ser isolado e não magnético para transmitir com precisão os dados coletados;Ao mesmo tempo, como sensor para exploração de profundidade, o ambiente subterrâneo é geralmente complexo e apenas o suporte com alta dureza pode proteger o sensor contra danos.Além disso, o suporte de nitreto de silício tem certos efeitos protetores na bobina do sensor devido à sua resistência anticorrosiva, alta e baixa temperatura e baixo coeficiente de expansão térmica.

Capa protetora de eletrodo de nitreto de silício

Capa protetora de eletrodo de nitreto de silícioé usado principalmente para o isolamento, resistência ao calor e resistência à corrosão de nitreto de silício.Em comparação com as capas protetoras de quartzo e óxido de alumínio ainda em uso, a vida útil das capas protetoras de eletrodo de nitreto de silício é mais de 10 vezes maior do que as capas protetoras de eletrodo de nitreto de silício e elas não serão eletrocutadas, aquecidas ou corroídas durante o uso.Devido à sua estabilidade, há muito menos fatores não humanos no uso do forno de redução fotovoltaico.

Nitreto de silício (Si3N4) substrato de alta condutividade térmica

Substrato cerâmico de nitreto de silício de alta condutividade térmica

Recursos

Alta resistência: A resistência à flexão é cerca do dobro da dos substratos AL2O3 e ALN.
Alta condutividade térmica: É mais de 3 vezes maior que o substrato AL2O3.
Leve e fino: sua espessura pode chegar a 1/2 do substrato AlN
Excelente resistência ao choque térmico: seu coeficiente de expansão térmica é próximo ao do silício.

Item

Unidade

Al2O3

AIN

Si3N4

Densidade

g/cm2

3,75

3.3

3.22

Grossura

mm

0,3175~1,0

0,4~2,5

0,238~0,635

Nível de rugosidade da superfície (Ra)

μm

0,4

0,2

0,4

Propriedades mecânicas

resistência à flexão

Mpa

310~400

300~450

650

módulo de Young

Gpa

330

320

310

Dureza Vickers

Gpa

14

11

15

tenacidade à fratura

Mpa.ml/2

3~4

2~4

5~7

Coeficiente de expansão térmica

10 -6/K

7.1~8.1

4,5~4,6

2.6

Condutividade térmica

W/(mK)

20~30

160~255

60~120

Calor específico

J/(kg/K)

750

720

680

Características elétricas

Constante dielétrica

/

9~10

8~9

7~9

Tangente de perda dielétrica

...10-3

0,2

0,3

0,4

Resistividade volumétrica

Ω.m

1012

1012

1012

Queda de tensão

kv/mm

12

14

14

 


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