Substrato e peças de alta condutividade térmica de cerâmica de nitreto de silício
Suportes de bobina de nitreto de silício
Suportes de bobina de nitreto de silício são amplamente utilizados como sensores em mineração subterrânea, exploração geológica e outros campos.
Como o suporte da bobina do sensor, o suporte da bobina de nitreto de silício aplica principalmente o desempenho de ultra-alta dureza da cerâmica de nitreto de silício e o isolamento não magnético da cerâmica de nitreto de silício.Assim como o rack da bobina do sensor, ele deve ser isolado e não magnético para transmitir com precisão os dados coletados;Ao mesmo tempo, como sensor para exploração de profundidade, o ambiente subterrâneo é geralmente complexo e apenas o suporte com alta dureza pode proteger o sensor contra danos.Além disso, o suporte de nitreto de silício tem certos efeitos protetores na bobina do sensor devido à sua resistência anticorrosiva, alta e baixa temperatura e baixo coeficiente de expansão térmica.
Capa protetora de eletrodo de nitreto de silício
Capa protetora de eletrodo de nitreto de silícioé usado principalmente para o isolamento, resistência ao calor e resistência à corrosão de nitreto de silício.Em comparação com as capas protetoras de quartzo e óxido de alumínio ainda em uso, a vida útil das capas protetoras de eletrodo de nitreto de silício é mais de 10 vezes maior do que as capas protetoras de eletrodo de nitreto de silício e elas não serão eletrocutadas, aquecidas ou corroídas durante o uso.Devido à sua estabilidade, há muito menos fatores não humanos no uso do forno de redução fotovoltaico.
Nitreto de silício (Si3N4) substrato de alta condutividade térmica
Substrato cerâmico de nitreto de silício de alta condutividade térmica
Recursos
►Alta resistência: A resistência à flexão é cerca do dobro da dos substratos AL2O3 e ALN.
►Alta condutividade térmica: É mais de 3 vezes maior que o substrato AL2O3.
►Leve e fino: sua espessura pode chegar a 1/2 do substrato AlN
►Excelente resistência ao choque térmico: seu coeficiente de expansão térmica é próximo ao do silício.
Item | Unidade | Al2O3 | AIN | Si3N4 | |
Densidade | g/cm2 | 3,75 | 3.3 | 3.22 | |
Grossura | mm | 0,3175~1,0 | 0,4~2,5 | 0,238~0,635 | |
Nível de rugosidade da superfície (Ra) | μm | 0,4 | 0,2 | 0,4 | |
Propriedades mecânicas | resistência à flexão | Mpa | 310~400 | 300~450 | 650 |
módulo de Young | Gpa | 330 | 320 | 310 | |
Dureza Vickers | Gpa | 14 | 11 | 15 | |
tenacidade à fratura | Mpa.ml/2 | 3~4 | 2~4 | 5~7 | |
Coeficiente de expansão térmica | 10 -6/K | 7.1~8.1 | 4,5~4,6 | 2.6 | |
Condutividade térmica | W/(mK) | 20~30 | 160~255 | 60~120 | |
Calor específico | J/(kg/K) | 750 | 720 | 680 | |
Características elétricas | Constante dielétrica | / | 9~10 | 8~9 | 7~9 |
Tangente de perda dielétrica | ...10-3 | 0,2 | 0,3 | 0,4 | |
Resistividade volumétrica | Ω.m | >1012 | >1012 | >1012 | |
Queda de tensão | kv/mm | >12 | >14 | >14 |