-
Сотовая керамическая пленка SiC
Пленка карбида кремния (SiC) спекается при высокой температуре по технологии рекристаллизации. Ее пористый опорный слой, переходный слой и слой пленки изготовлены из материала карбида кремния.Своя точность фильтрации микрофильтрация и ультрафильтрация.
Система фильтрации пленки SiC представляет собой процесс разделения жидкости в форме «фильтрации с поперечным потоком».Исходная жидкость течет с высокой скоростью в пленочной трубке.Под действием давления осветленный осмотический раствор, содержащий мелкомолекулярные компоненты, проникает сквозь плотный слой пленки в направлении, перпендикулярном ему.Однако мутный концентрированный раствор, содержащий макромолекулярные компоненты, перехватывается для достижения цели осветления, разделения, концентрирования и очистки жидкости.
